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Gentle Mill 离子精修仪
Product Introduction
Gentle Mill 离子精修仪
产品概况
产品概况

Technoorg Gentle Mill 离子精修仪产品专为最终抛光、精修和改善 FIB 处理后的样品而设计。Gentle Mill 型号非常适合要求样品无加工痕迹、表面几乎没有任何损坏的 XTEM、HRTEM 或 STEM 的用户。同时,Gentle Mill 还适用于快速减薄凹坑或超薄平面 (< 25 μm) 以及机械抛光样品。

基本参数
  • 离子枪:低能离子枪(固定型)
  • 样品台:切削角度:0° - 40°,每 0.1° 连续可调
  • 真空系统:Pfeiffer 真空系统配备无油隔膜和涡轮分子泵,配备紧凑 的全范围 Pirani / Penning 真空计
  • 供气系统:99.999% 纯氩气,绝对压力为 1.3 - 1.7 bar
Practical Features
Gentle Mill 实用特点
  • 自动化操作

    第三代 Gentle Mill 离子精修仪采用简单便捷的图形界面,可进行全电脑控制。所有切削参数,包括离子枪设置、气流控制与其他参数(如样品运动和倾斜角度、穿孔检测)的设置,都可以存储或以任意步骤进行预编程。 这种全自动功能实现了在最少的人工干预下制备高质量的样品的功能。

    01
  • 制样的最后一步

    获得专利的离子枪的卓越性能提供了一种有效但非常温和的清洁能力,可提高已制备的 TEM 样品或 FIB 样品的质量。此型号推荐给追求最佳效果或有特殊需求的用户。

    02
  • 转移胶囊提供样品保护

    Gentle Mill 离子精修仪的最新功能可以在真空或惰性气体环境下转移极其敏感的样品。 转移胶囊提供有效的保护,防止转移样品时的氧气、蒸汽或其他成分破坏或污染样品表面。

    03
  • 在线监控和支持

    Gentle Mill 离子精修仪同时附带软件扩展包,可以通过在线网络即时检测错误,以便及时消除问题。

    04
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Application
Gentle Mill 应用实列
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原子级结构分析

Gentle Mill 对在各种 FIB 制备的样品进行低能量 Ar+ 氩离子研磨显着降低了受损的非晶表面层的厚度。可以实现对 65 nm 节点半导体器件进行原子级结构分析。

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Si 中的晶面 [110]

使用 Gentle Mill 在 200 eV 离子能量和 3° 入射角下通过 Ar+ 氩离子研磨对样品进行减薄。图片由劳伦斯伯克利实验室国家电子显微镜中心提供。

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GaSb / InAs 超晶格

使用 Gentle Mill 制备样品:在 2000 eV 下减薄直至穿孔,然后在 1000 eV 下修整,最后在 300 eV 下精修。 图片由 Technion(以色列)提供。

Application Cases
应用案例
Gentle Mill 离子精修仪
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