
飞纳电镜 Phenom 可用于半导体封装样品的第一轮微观筛查,帮助工程师观察互连结构、孔结构、截面、表面缺陷和局部异常,再决定是否进入EDS、复杂截面制备或其他进一步分析。
一、半导体封装为什么需要快速筛查
封装研发、工艺调整和失效分析中,经常需要快速确认异常是否存在以及出现在哪里。PCB镭射孔、键合线、陶瓷电容截面、芯片去层后的局部结构、Bump、underfill和晶圆边缘等样品,都可能先通过SEM完成形貌检查。

PCB 镭射孔扫描电镜图

陶瓷电容截面扫描电镜图
第一轮观察通常关注结构边缘是否清楚、表面是否存在颗粒或污染、孔壁和截面是否有异常、互连区域是否出现裂纹或局部缺陷。这个阶段的目标是建立清晰的图像记录和异常位置,而不是一次测试解释全部失效原因。
Phenom Pharos G2 是台式场发射扫描电镜,采用肖特基热场发射电子枪,电子光学放大最高可达200万倍,分辨率可优于1.5 nm,并支持低真空、中真空和高真空模式。它更适合对细小结构边缘、表面形貌和局部缺陷有较高观察要求的封装样品。
实际流程可以从光学观察或已有失效位置开始,完成样品装载和目标定位后,在较低倍率下确认区域,再逐步提高倍率观察细节。如果需要判断异常颗粒或局部区域的主要元素,可继续进行EDS;如果问题涉及复杂截面、原位实验或更高阶结构分析,则转入相应专业流程。
键合线与焊接区域观察、PCB镭射孔形貌、陶瓷电容截面、芯片去层后的表面检查、电子器件污染颗粒和局部烧蚀痕迹,都适合先做快速筛查。台式平台的意义,是让这类高频观察更靠近研发、工艺和失效分析现场。
建议在图像中保留样品编号、观察位置、倍率和采集条件,并将异常区域与光学图、截面位置或工艺批次对应。SEM图像用于说明形貌差异,EDS或其他检测用于补充成分和结构信息,避免仅凭单张图像直接归因。
飞纳电镜 Phenom 在半导体封装快速筛查中的作用,是帮助团队尽快看清结构和异常位置。Phenom Pharos G2 更适合高分辨观察任务;需要元素判断时,可结合EDS配置;遇到更复杂的问题,再进入大型平台或其他专门分析流程。


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